單項(xiàng)選擇題對(duì)電壓比較器的特點(diǎn)敘述不正確的是（）。

A.比較器的運(yùn)放工作于開(kāi)環(huán)或正反饋狀態(tài)，輸入端的虛短特征不再存在
B.輸出與輸入之間呈現(xiàn)非線性特性，輸出不是高電平就是低電平
C.電壓比較器是對(duì)輸出信號(hào)進(jìn)行鑒幅與比較的電路
D.由于運(yùn)放的輸入電阻高，輸入電流一般非常小，可以忽略


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1.單項(xiàng)選擇題對(duì)電壓比較器的電壓傳輸特性敘述不正確的是（）。

A.輸出高、低電平取決于集成運(yùn)放輸出電壓的最大幅度或輸出端的限幅電路
B.閾值電壓是使集成運(yùn)放同相輸入端和反相輸入端電位相等時(shí)所對(duì)應(yīng)的電壓
C.無(wú)論輸入電壓作用的位置如何，輸入電壓超過(guò)閾值電壓時(shí)輸出電壓的躍變方向是一定的
D.電壓傳輸特性用來(lái)描述電壓比較器的輸出電壓與輸入電壓之間的函數(shù)關(guān)系

2.單項(xiàng)選擇題以下無(wú)法構(gòu)成自給偏壓電路的場(chǎng)效應(yīng)管為（）

A.結(jié)型
B.耗盡型
C.增強(qiáng)型
D.以上都不對(duì)

3.單項(xiàng)選擇題以下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的敘述正確的是（）。

A.場(chǎng)效應(yīng)管是電流型控制器件，組成放大電路時(shí)其輸入電阻大
B.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓型控制器件，組成放大電路時(shí)，其輸入電阻小
C.場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的放大倍數(shù)比晶體管組成的放大電路小
D.場(chǎng)效應(yīng)管組成放大電路時(shí)電壓放大系數(shù)大

4.單項(xiàng)選擇題某場(chǎng)效應(yīng)管的IDSS為6mA，而IDQ自漏極流出，大小為8mA，則該管是（）。

A.增強(qiáng)型PMOS
B.增強(qiáng)型NMOS
C.耗盡型PMOS
D.耗盡型NMOS