單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度試驗(yàn)的材料試驗(yàn)機(jī)示值相對(duì)誤差不大于()。

A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%


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1.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中裂紋長(zhǎng)度以在三個(gè)方向上分別測(cè)得的()作為測(cè)量結(jié)果。

A、最長(zhǎng)裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長(zhǎng)度平均值
D、裂紋長(zhǎng)度總和

5.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法(GB/T2542-2003)標(biāo)準(zhǔn)中尺寸測(cè)量的量具應(yīng)為()。

A、游標(biāo)卡尺
B、直尺
C、卷尺
D、磚用卡尺

最新試題

下列是晶體的是()。 

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。  

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題