A、100mm×100mm×100mm.5組
B、100mm×100mm×300mm.5組
C、100mm×100mm×400mm.5組
D、100mm×100mm×100mm.1組
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A、5
B、10
C、15
D、20
A、1
B、2
C、4
D、5
A、-10
B、-15
C、-20
D、-25
A、100mm×100mm×100mm.3塊
B、100mm×100mm×100mm.2塊
C、100mm×100mm×300mm.3塊
D、100mm×100mm×400mm.3塊
A、最大值
B、最小值
C、算術(shù)平均值
D、中間值
最新試題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
下列是晶體的是()。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。