A、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒5.0~8.0kN
B、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒18.0~22.5kN
C、邊長200mm的C20級砼加荷速度取每秒12.0~20.0kN
D、邊長200mm的C40級砼加荷速度取每秒20.0~32.0kN
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A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒6.75~11.25kN
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒11.25~18.00kN
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒18.00~22.50kN
A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、強度等級越高,加荷速度應越小
A、試件拆模時間
B、試件移入標準養(yǎng)護室時間
C、拌合物攪拌加水時間
D、拌合物拌制完成時間
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的恒溫、恒濕環(huán)境
B、室內(nèi)陰涼場所
C、結(jié)構(gòu)或構(gòu)件鄰近區(qū)域砂堆中
D、遮陽的屋檐下
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的室內(nèi)
B、溫度20±2℃的不流動的Ca(OH)2飽和溶液中
C、溫度20±2℃的清水中
D、溫度20±2℃的不流動的醋酸溶液中
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列是晶體的是()。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
硅片拋光在原理上不可分為()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。