A、39.0MPa
B、18.2MPa
C、10.2MPa
D、10.8MPa
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A、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時,該組試件的試驗結(jié)果無效。
B、不總是能把同組3個試件測值的平均值作為該組試件的抗壓強(qiáng)度值。
C、同組3個試件測值中,若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過中間值的15%,則該組試件的試驗結(jié)果無效。
D、同組3個試件測值中,最大值或最小值只要有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%,就要把最大值和最小值一并舍除。
A、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒5.0~8.0kN
B、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒18.0~22.5kN
C、邊長200mm的C20級砼加荷速度取每秒12.0~20.0kN
D、邊長200mm的C40級砼加荷速度取每秒20.0~32.0kN
A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒6.75~11.25kN
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒11.25~18.00kN
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒18.00~22.50kN
A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、強(qiáng)度等級越高,加荷速度應(yīng)越小
A、試件拆模時間
B、試件移入標(biāo)準(zhǔn)養(yǎng)護(hù)室時間
C、拌合物攪拌加水時間
D、拌合物拌制完成時間
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
PN結(jié)的基本特性是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
下列哪個不是單晶常用的晶向()