A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都對(duì)
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A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的100×100×100mm立方體試件為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的200×200×200mm立方體試件為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的Φ100×200圓柱體試件為0.95
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)的砼應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、39.0MPa
B、18.2MPa
C、10.2MPa
D、10.8MPa
A、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
B、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的平均值作為該組試件的抗壓強(qiáng)度值。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中，若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過中間值的15%，則該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
D、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值或最小值只要有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過中間值的15%，就要把最大值和最小值一并舍除。
A、邊長(zhǎng)100mm的C40級(jí)砼加荷速度取每秒5.0～8.0kN
B、邊長(zhǎng)150mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒18.0～22.5kN
C、邊長(zhǎng)200mm的C20級(jí)砼加荷速度取每秒12.0～20.0kN
D、邊長(zhǎng)200mm的C40級(jí)砼加荷速度取每秒20.0～32.0kN
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒6.75～11.25kN
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒11.25～18.00kN
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒18.00～22.50kN
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
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下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。