A、變形測量儀應(yīng)安裝于試件一側(cè)
B、變形測量儀應(yīng)安裝在垂直于試件承壓面的4條棱上
C、變形測量儀應(yīng)安裝于試件兩側(cè)的中線上并對稱于試件的兩端
D、變形測量儀應(yīng)安裝于試件兩個(gè)承壓面上,承壓面應(yīng)預(yù)先開好安裝槽
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A、每次試驗(yàn)應(yīng)制備6個(gè)試件
B、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件,3個(gè)用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗(yàn),另3個(gè)用于測定彈性模量
C、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件都是用于測定彈性模量,因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)規(guī)定靜力受壓彈性模量試驗(yàn)是6個(gè)試件為一組
D、每次試驗(yàn)的6個(gè)試件,1個(gè)用于進(jìn)行軸心抗壓強(qiáng)度試驗(yàn),另5個(gè)用于測定彈性模量
A、小于C60強(qiáng)度等級的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強(qiáng)度等級的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強(qiáng)度等級的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強(qiáng)度等級的200×200×400mm棱柱體試件為1.05
A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
A、同組3個(gè)試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
B、不總是能把同組3個(gè)試件測值的平均值作為該組試件的抗壓強(qiáng)度值。
C、同組3個(gè)試件測值中,若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過中間值的15%,則該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
D、同組3個(gè)試件測值中,最大值或最小值只要有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過中間值的15%,就要把最大值和最小值一并舍除。
A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒12.0~20.0kN
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒20.0~32.0kN
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒32.0~40.0kN
D、C25級砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
最新試題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列是晶體的是()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
PN結(jié)的基本特性是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;