A、抗折試驗(yàn)過程中,加荷速度應(yīng)前慢后快
B、抗折試驗(yàn)過程中,加荷速度應(yīng)前快后慢
C、抗折試驗(yàn)過程中,加荷應(yīng)保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗(yàn)過程中,因砼抗拉性能差,加荷應(yīng)緩慢進(jìn)行
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A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.05~0.08MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都不對(duì)
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長100mm試件為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長200mm試件為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長100mm試件為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)的砼應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、同組3個(gè)試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
B、同組3個(gè)試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
C、同組3個(gè)試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的20%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
D、不總是能把同組3個(gè)試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的劈裂抗拉強(qiáng)度值。
A、邊長100mm的C20級(jí)砼加荷速度取每秒0.2~0.5kN
B、邊長100mm的C40級(jí)砼加荷速度取每秒0.5~0.8kN
C、邊長100mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒0.8~1.0kN
D、邊長150mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒1.8~2.25kN
A、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、<C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
下列是晶體的是()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()