A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
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A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
A、小于C60強(qiáng)度等級時(shí)為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級時(shí)為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級時(shí)為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級時(shí)應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、試驗(yàn)?zāi)芊竦玫接行ЫY(jié)果,尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個(gè)試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的10%時(shí),該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
C、同組3個(gè)試件測值中,最大值或最小值如有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過中間值的15%時(shí),取中間值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
D、不總是能把同組3個(gè)試件測值的算術(shù)平均值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
A、抗折試驗(yàn)過程中,加荷速度應(yīng)前慢后快
B、抗折試驗(yàn)過程中,加荷速度應(yīng)前快后慢
C、抗折試驗(yàn)過程中,加荷應(yīng)保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗(yàn)過程中,因砼抗拉性能差,加荷應(yīng)緩慢進(jìn)行
A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.02~0.05MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.05~0.08MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.08~0.10MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都不對
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
硅片拋光在原理上不可分為()
下列是晶體的是()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()