A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
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A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
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B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
A、小于C60強(qiáng)度等級時為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級時為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級時為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級時應(yīng)由試驗(yàn)確定
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫械〈糠值牧?,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
PN結(jié)的基本特性是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。