多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗凍融試驗箱的溫控要求，正確的有（）。
A、冷凍期間箱內(nèi)溫度應(yīng)能保證在（-20～-18）℃范圍
B、融化期間箱內(nèi)浸泡砼試件的水溫應(yīng)能保證在（18～20）℃范圍
C、滿載時箱內(nèi)各點溫度極差不應(yīng)超過2℃
D、滿載時箱內(nèi)各點溫度極差不應(yīng)超過5℃
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1.多項選擇題快凍法砼抗凍試驗試件的形狀，不正確的有（）。
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
2.多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗試件的形狀，不正確的有（）。
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
3.多項選擇題快凍法砼抗凍試驗試件的凍融介質(zhì)，不正確的有（）。
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
4.多項選擇題慢凍法砼抗凍試驗試件的凍融介質(zhì)，不正確的有（）。
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
5.多項選擇題《普通砼長期性能和耐久性能試驗方法標(biāo)準》GB/T50082-2009標(biāo)準抗凍試驗的試驗方法有（）。
A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題