A、冷凍結(jié)束后,應即加入溫度為(18~20)℃的水,加水時間不應超過10min
B、冷凍結(jié)束后,應即加入溫度為100℃的熱水,加水時間不應超過10min
C、溫控系統(tǒng)應確保在30min內(nèi),水溫不低于10℃,且在30min后水溫能保持在(18~20)℃
D、箱內(nèi)水面應至少高出試件表面20mm
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A、試件架與試件的接觸面積不宜超過試件底面的1/5
B、試件與箱體內(nèi)壁之間應至少留有20mm空隙
C、試件架中各試件應緊密擺放
D、試件架中各試件之間應至少保持30mm空隙
A、冷凍期間箱內(nèi)溫度應能保證在(-20~-18)℃范圍
B、融化期間箱內(nèi)浸泡砼試件的水溫應能保證在(18~20)℃范圍
C、滿載時箱內(nèi)各點溫度極差不應超過2℃
D、滿載時箱內(nèi)各點溫度極差不應超過5℃
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。