A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對(duì)動(dòng)彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于4h
B、融化時(shí)間不應(yīng)少于4h
C、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于8h
D、融化時(shí)間不應(yīng)少于8h
A、冷凍結(jié)束后,應(yīng)即加入溫度為(18~20)℃的水,加水時(shí)間不應(yīng)超過(guò)10min
B、冷凍結(jié)束后,應(yīng)即加入溫度為100℃的熱水,加水時(shí)間不應(yīng)超過(guò)10min
C、溫控系統(tǒng)應(yīng)確保在30min內(nèi),水溫不低于10℃,且在30min后水溫能保持在(18~20)℃
D、箱內(nèi)水面應(yīng)至少高出試件表面20mm
A、試件架與試件的接觸面積不宜超過(guò)試件底面的1/5
B、試件與箱體內(nèi)壁之間應(yīng)至少留有20mm空隙
C、試件架中各試件應(yīng)緊密擺放
D、試件架中各試件之間應(yīng)至少保持30mm空隙
A、冷凍期間箱內(nèi)溫度應(yīng)能保證在(-20~-18)℃范圍
B、融化期間箱內(nèi)浸泡砼試件的水溫應(yīng)能保證在(18~20)℃范圍
C、滿載時(shí)箱內(nèi)各點(diǎn)溫度極差不應(yīng)超過(guò)2℃
D、滿載時(shí)箱內(nèi)各點(diǎn)溫度極差不應(yīng)超過(guò)5℃
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
最新試題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
可用作硅片的研磨材料是()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門(mén)子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()