A、當(dāng)3個試件的測值中有1個且僅有1個極值超過中間值的15%時,取其余2個測值的算術(shù)平均值為強(qiáng)度測定值
B、當(dāng)3個試件的測值中有1個且僅有1個極值超過中間值的15%時,取中間值為強(qiáng)度測定值
C、當(dāng)3個試件的測值中2個極值均超過中間值的15%時,取中間值為強(qiáng)度測定值
D、當(dāng)3個試件的測值中2個極值均超過中間值的15%時,強(qiáng)度試驗(yàn)結(jié)果無效
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A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對動彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對動彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、冷凍時間不應(yīng)少于4h
B、融化時間不應(yīng)少于4h
C、冷凍時間不應(yīng)少于8h
D、融化時間不應(yīng)少于8h
A、冷凍結(jié)束后,應(yīng)即加入溫度為(18~20)℃的水,加水時間不應(yīng)超過10min
B、冷凍結(jié)束后,應(yīng)即加入溫度為100℃的熱水,加水時間不應(yīng)超過10min
C、溫控系統(tǒng)應(yīng)確保在30min內(nèi),水溫不低于10℃,且在30min后水溫能保持在(18~20)℃
D、箱內(nèi)水面應(yīng)至少高出試件表面20mm
A、試件架與試件的接觸面積不宜超過試件底面的1/5
B、試件與箱體內(nèi)壁之間應(yīng)至少留有20mm空隙
C、試件架中各試件應(yīng)緊密擺放
D、試件架中各試件之間應(yīng)至少保持30mm空隙
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列是晶體的是()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()