A.拉伸性能尺寸(縱向×橫向)100×25(mm),縱橫各5個
B.耐熱性(縱向×橫向)100×50(mm),3個
C.低溫柔性(縱向×橫向)150×25(mm),10個
D.不透水性150×150mm,3個
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A.最大拉力單位為N/50mm,對應(yīng)的延伸率用百分比表示
B.分別記錄每個方向5個試件的拉力值和延伸率,計算平均值
C.拉力的平均值修約到5N,延伸率修約到1%
D.拉力的平均值修約到1N,延伸率修約到0.1%
A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
A.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
B.3mm、4mm厚度卷材彎曲直徑為30mm,5mm厚度卷材彎曲直徑為50mm
C.3mm厚度卷材彎曲直徑為30mm,4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
D.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為30mm
A、拉伸試樣尺寸為200mm×25mm
B、夾持距離為120mm
C、拉伸速率為(100±10)mm/min
D、拉伸速率為(250±50)mm/min
A、20mm
B、30mm
C、40mm
D、50mm
最新試題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
硅片拋光在原理上不可分為()
改良西門子法的顯著特點不包括()