A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
B.3mm、4mm厚度卷材彎曲直徑為30mm,5mm厚度卷材彎曲直徑為50mm
C.3mm厚度卷材彎曲直徑為30mm,4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
D.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為30mm
A、拉伸試樣尺寸為200mm×25mm
B、夾持距離為120mm
C、拉伸速率為(100±10)mm/min
D、拉伸速率為(250±50)mm/min
A、20mm
B、30mm
C、40mm
D、50mm
A、對于整個試驗(yàn)應(yīng)準(zhǔn)備五個試件
B、在試樣上距邊緣100mm以上任意裁取
C、正方形試件尺寸為(100±1)mm×(100±1)mm
D、試件在試驗(yàn)前至少在(23±2)℃和相對濕度30%~70%的條件下放置20h
A、(100±1)mm×(100±1)mm
B、(100±2)mm×(100±2)mm
C、(50±2)mm×(50±2)mm
D、(50±1)mm×(50±1)mm
最新試題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
硅片拋光在原理上不可分為()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。