單項選擇題熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀
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1.單項選擇題CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
A.加料--熔化--縮頸生長--等徑生長--放肩生長--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長--放肩生長--等徑生長--收尾
C.加料--熔化--等徑生長-放肩生長--縮頸生長--收尾
D.加料--熔化--等徑生長長--縮頸生長--放肩生長--收尾
2.單項選擇題懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低
3.多項選擇題鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
A.鈍化晶界
B.鈍化錯位
C.鈍化電活性雜質(zhì)
4.單項選擇題鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長過程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應引入的氧
D.外界空氣的進入
5.單項選擇題制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
A.氧及其相關(guān)缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過渡族金屬雜質(zhì)
D.材料中的缺陷密度及其分布
最新試題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
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載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
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雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題