單項選擇題雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
A.變大，變小
B.變小，變大
C.變小，變小
D.變大，變大
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1.單項選擇題如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復(fù)合中心
2.單項選擇題與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
A、比半導(dǎo)體的大
B、比半導(dǎo)體的小
C、與半導(dǎo)體的相等
3.單項選擇題表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
A、施主態(tài)
B、受主態(tài)
C、電中性
4.單項選擇題最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
A、EA，
B、ED，
C、EF，
D、Ei
5.單項選擇題載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
A、漂移
B、隧道
C、擴散
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雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
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題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題