A.非平衡載流子濃度成正比;
B.平衡載流子濃度成正比;
C.非平衡載流子濃度成反比;
D.平衡載流子濃度成反比。
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A.纖鋅礦型;
B.閃鋅礦型;
C.六方對(duì)稱(chēng)性;
D.立方對(duì)稱(chēng)性
A.施主
B.受主
C.復(fù)合中心
D.兩性雜質(zhì)
A.變大,變小
B.變小,變大
C.變小,變小
D.變大,變大
A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復(fù)合中心
A、比半導(dǎo)體的大
B、比半導(dǎo)體的小
C、與半導(dǎo)體的相等
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱(chēng)為()。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)()