單項選擇題下列哪個不是單晶常用的晶向（）
A.（100）
B.（001）
C.（111）
D.（110）
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1.單項選擇題PN結的基本特性是（）
A.單向導電性
B.半導性
C.電流放大性
D.絕緣性
2.單項選擇題光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
A.光子效應
B.霍爾效應
C.熱電效應
D.壓電效應
3.單項選擇題在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱（）
A.光電效應
B.光生伏特效應
C.內光電效應
D.外光電效應
4.單項選擇題硅片拋光在原理上不可分為（）
A.機械拋光法
B.化學拋光法
C.手工拋光法
D.機械--化學拋光法
5.單項選擇題可用作硅片的研磨材料是（）
A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題