單項選擇題PN結(jié)的基本特性是（）
A.單向?qū)щ娦?br />
B.半導性
C.電流放大性
D.絕緣性
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
A.光子效應
B.霍爾效應
C.熱電效應
D.壓電效應
2.單項選擇題在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
A.光電效應
B.光生伏特效應
C.內(nèi)光電效應
D.外光電效應
3.單項選擇題硅片拋光在原理上不可分為（）
A.機械拋光法
B.化學拋光法
C.手工拋光法
D.機械--化學拋光法
4.單項選擇題可用作硅片的研磨材料是（）
A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL
5.單項選擇題熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題