單項選擇題多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
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1.單項選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
A、6
B、2
C、4
D、5
2.單項選擇題那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
3.單項選擇題下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長
4.單項選擇題用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
5.單項選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
A、位錯
B、層錯
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
題型:單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題