單項(xiàng)選擇題改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定
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1.單項(xiàng)選擇題多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
2.單項(xiàng)選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
A、6
B、2
C、4
D、5
3.單項(xiàng)選擇題那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
4.單項(xiàng)選擇題下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長
5.單項(xiàng)選擇題用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
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題型:單項(xiàng)選擇題
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最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
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題型:多項(xiàng)選擇題