A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
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A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長
A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于
A、位錯(cuò)
B、層錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯(cuò)
A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結(jié);
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對,產(chǎn)生平衡載流子;
C、平衡載流子破壞原來的熱平衡;
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場作用下,n區(qū)空穴向p區(qū)擴(kuò)散,p區(qū)電子向n區(qū)擴(kuò)散;若p-n結(jié)開路,在結(jié)的兩邊積累電子—空穴對,產(chǎn)生開路電壓。
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
PN結(jié)的基本特性是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()