A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤
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A.減小,減小
B.減小,增大
C.增大,增大
D.增大,減小
A.漂移遷移率
B.電導(dǎo)遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率
A.(100)
B.(001)
C.(111)
D.(110)
A.單向?qū)щ娦?br />
B.半導(dǎo)性
C.電流放大性
D.絕緣性
A.光子效應(yīng)
B.霍爾效應(yīng)
C.熱電效應(yīng)
D.壓電效應(yīng)
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()