對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

下列是晶體的是（）。 

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。