單項選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
A.線缺陷
B.面缺陷
C.點缺陷
D.體缺陷
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1.單項選擇題對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
A.非平衡載流子濃度成正比；
B.平衡載流子濃度成正比；
C.非平衡載流子濃度成反比；
D.平衡載流子濃度成反比。
2.單項選擇題在通常情況下，GaN呈（）型結構。
A.纖鋅礦型；
B.閃鋅礦型；
C.六方對稱性；
D.立方對稱性
3.單項選擇題如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
A.施主
B.受主
C.復合中心
D.兩性雜質
4.單項選擇題雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
A.變大，變小
B.變小，變大
C.變小，變小
D.變大，變大
5.單項選擇題如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復合中心
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題