A.2.0mm
B.3.0mm
C.4.0mm
D.1.5mm
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A.拉伸性能尺寸（縱向×橫向）100×25（mm），縱橫各5個
B.耐熱性（縱向×橫向）100×50（mm），3個
C.低溫柔性（縱向×橫向）150×25（mm），10個
D.不透水性150×150mm，3個
A.最大拉力單位為N/50mm，對應(yīng)的延伸率用百分比表示
B.分別記錄每個方向5個試件的拉力值和延伸率，計算平均值
C.拉力的平均值修約到5N，延伸率修約到1%
D.拉力的平均值修約到1N，延伸率修約到0.1%
A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
A.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
B.3mm、4mm厚度卷材彎曲直徑為30mm，5mm厚度卷材彎曲直徑為50mm
C.3mm厚度卷材彎曲直徑為30mm，4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
D.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為30mm
A、拉伸試樣尺寸為200mm×25mm
B、夾持距離為120mm
C、拉伸速率為（100±10）mm/min
D、拉伸速率為（250±50）mm/min
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。