A、內(nèi)縮量
B、總應(yīng)變
C、錨頭損失
D、效率系數(shù)
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A、試驗應(yīng)力為0.75倍預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
B、測量的是工具錨下應(yīng)力與喇叭形墊板收口處的應(yīng)力差異
C、摩阻損失包括錨具內(nèi)的損失和墊板中的損失
D、實驗結(jié)果為3組平行實驗的平均值
A、內(nèi)縮量測量分為直接測量方式和間接測量方式
B、試驗應(yīng)力為0.8倍預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
C、可以通過測量預(yù)應(yīng)力筋錨固過程中的應(yīng)力變化得到
D、靜載實驗用的裝置一般不合適用于內(nèi)縮量試驗
A、總應(yīng)變測量若采用量具標(biāo)距的方式,標(biāo)距長度不應(yīng)小于1m
B、若采用測量加荷端油缸的位移方式,應(yīng)該考慮實驗儀器的彈性應(yīng)變
C、若采用測量加荷端油缸的位移方式,總長度應(yīng)為兩個夾片起夾點(diǎn)之間的距離
D、若采用測量加荷端油缸的位移方式,應(yīng)該考慮固定端的內(nèi)縮值
A.高分子防水卷材
B.無膜雙面自粘
C.聚酯膜
D.瀝青基聚酯胎防水卷材
A.1.2mm
B.3.0mm
C.2.0mm
D.4.0mm
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列是晶體的是()。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。