A、不同的錨具一般需不同類型的千斤頂
B、有些錨具可以不用千斤頂
C、靜載實(shí)驗(yàn)?zāi)芡耆从冲^具性能
D、錨具外露端應(yīng)有防護(hù)措施
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A、實(shí)驗(yàn)應(yīng)在1小時(shí)內(nèi)做完
B、試驗(yàn)段長(zhǎng)度應(yīng)為2米
C、實(shí)驗(yàn)前應(yīng)做硬度試驗(yàn)
D、最終的總應(yīng)變?cè)叫≡胶?/p>
A、錨頭端預(yù)應(yīng)力筋斷裂
B、滑絲
C、內(nèi)縮值偏大
D、夾片斷裂
A、鋼質(zhì)錐塞式
B、預(yù)應(yīng)力錐塞式
C、熱鑄錐塞式
D、冷鑄錐塞式
A、焊接預(yù)應(yīng)力筋后應(yīng)加熱
B、只能用于預(yù)應(yīng)力構(gòu)件內(nèi)部
C、焊接應(yīng)在冷拉之前進(jìn)行
D、不能和鋼絞線直接連接
A、第一層網(wǎng)片與墊板之間距離宜小于25mm
B、網(wǎng)片之間距離不宜過(guò)大
C、網(wǎng)片筋中的鋼筋間距不宜過(guò)大
D、網(wǎng)片筋在錨固區(qū)使用
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()