A、達(dá)到95%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/600
B、達(dá)到90%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/500
C、達(dá)到120%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
D、達(dá)到110%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
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A、鐓頭式
B、夾片式
C、壓花式
D、螺母式
A、有防止腐蝕和機(jī)械損傷的措施
B、凸出式錨具的保護(hù)層厚度不小于50mm
C、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在正常環(huán)境中不小于20mm
D、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于30mm
A、可以用焊割方式截?cái)?br />
B、需要有防腐蝕措施
C、長度不宜小于預(yù)應(yīng)力筋直徑的5倍
D、不宜小于30mm
A、HRA
B、HRB
C、HBW
D、RBH
A、不同的錨具一般需不同類型的千斤頂
B、有些錨具可以不用千斤頂
C、靜載實(shí)驗(yàn)?zāi)芡耆从冲^具性能
D、錨具外露端應(yīng)有防護(hù)措施
最新試題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
可用作硅片的研磨材料是()
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。