A、使預(yù)應(yīng)力筋與結(jié)構(gòu)混凝土結(jié)為一體
B、提高構(gòu)件的剛度
C、限定預(yù)應(yīng)力筋的位置
D、防止預(yù)應(yīng)力筋的腐蝕
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A、錨具變形
B、夾片位移
C、混凝土收縮
D、預(yù)應(yīng)力筋回縮
A、達(dá)到95%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/600
B、達(dá)到90%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/500
C、達(dá)到120%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
D、達(dá)到110%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
A、鐓頭式
B、夾片式
C、壓花式
D、螺母式
A、有防止腐蝕和機(jī)械損傷的措施
B、凸出式錨具的保護(hù)層厚度不小于50mm
C、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在正常環(huán)境中不小于20mm
D、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于30mm
A、可以用焊割方式截?cái)?br />
B、需要有防腐蝕措施
C、長(zhǎng)度不宜小于預(yù)應(yīng)力筋直徑的5倍
D、不宜小于30mm
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列是晶體的是()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。