下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）