注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）