金屬化中可選用的金屬材料有（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）