集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。