MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？