那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）