多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

下列是晶體的是（）。 

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）