下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。