硅片拋光在原理上不可分為（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）