硅片拋光在原理上不可分為（）

雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

可用作硅片的研磨材料是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

PN結的基本特性是（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。