單項(xiàng)選擇題目前，在現(xiàn)場(chǎng)對(duì)砌體強(qiáng)度進(jìn)行檢測(cè)時(shí)，以下哪種方法不適合（）。
A.回彈法
B.扁式法
C.鉆芯法
D.原位軸壓法
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1.單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)是指將由塊體和砂漿砌筑而成的（）作為建筑物主要受力構(gòu)件的結(jié)構(gòu)體系。
A.樁基
B.墻、柱
C.梁、板
D.墊層
2.單項(xiàng)選擇題砌體是把塊體（包括粘土磚、空心磚、砌塊、石材等）和（）通過(guò)砌筑而成的結(jié)構(gòu)材料。
A.砂漿
B.混凝土
C.泥漿
D.水泥
3.問(wèn)答題比較20鋼和T10鋼的退火，正火，淬火組織的異同.
最新試題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題