單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)每一個(gè)檢測(cè)單元內(nèi),不宜少于()測(cè)區(qū),應(yīng)將單個(gè)構(gòu)件(單片墻、柱)作為一個(gè)測(cè)區(qū)。

A.5
B.6
C.8
D.10


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1.單項(xiàng)選擇題砌體工程現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)在調(diào)查階段下列哪項(xiàng)工作是錯(cuò)誤的()。

A.在檢測(cè)完成后在收集工程建設(shè)時(shí)間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料
C.磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測(cè)試資料
D.現(xiàn)場(chǎng)調(diào)查工程的結(jié)構(gòu)形式、環(huán)境條件

2.單項(xiàng)選擇題砌體抗壓強(qiáng)度的現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)技術(shù)不包括()。

A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法

3.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法讀取碳化深度應(yīng)精確到()。

A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm

5.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈儀的鋼砧率定值為()。

A.74±2
B.72±2
C.78±2
D.80±2

最新試題

CZ法的主要流程工藝順序正確的是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門(mén)子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

PN結(jié)的基本特性是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題