單項選擇題下列關于檢測單元、測區(qū)和測點的劃分錯誤的是（）。
A.當檢測對象為整棟建筑物時，可按樓層劃分檢測單元
B.當檢測對象為整棟建筑物時，按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個結構單元，劃分為若干個檢測單元
D.每一個檢測單元內，不宜少于6個測區(qū)
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1.單項選擇題砌體結構每一個檢測單元內，不宜少于（）測區(qū)，應將單個構件（單片墻、柱）作為一個測區(qū)。
A.5
B.6
C.8
D.10
2.單項選擇題砌體工程現場檢測在調查階段下列哪項工作是錯誤的（）。
A.在檢測完成后在收集工程建設時間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗收資料
C.磚與砂漿的品種及有關原材料的測試資料
D.現場調查工程的結構形式、環(huán)境條件
3.單項選擇題砌體抗壓強度的現場檢測技術不包括（）。
A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法
4.單項選擇題砂漿回彈法讀取碳化深度應精確到（）。
A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm
5.單項選擇題砂漿回彈法砂漿為（）個測點，每個測點連續(xù)彈擊三次，讀取最后一次的回彈值作為該點的回彈值。
A.12
B.10
C.8
D.16
最新試題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現（）。
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題