單項選擇題切制試件法的測試步驟中，以下哪個不正確（）。
A.試件搬運過程中，應防止碰撞，并應采取減小振動的措施
B.應鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應適當鑿取試件底部砂漿，并應伸進撬棍，應將水平灰縫撬松動，然后應小心抬出試件
D.需要長距離運輸試件時，宜用草繩等材料緊密捆綁試件
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1.單項選擇題推出法所用推出儀的主要技術(shù)指標中額定行程為（）。
A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
2.單項選擇題推出法選擇測點時被推丁磚下的水平灰縫厚度應為（）。
A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
3.單項選擇題推出法適用于推定（）厚燒結(jié)普通磚、燒結(jié)多孔磚的砌筑砂漿強度。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
4.單項選擇題扁頂法測試墻體的受壓工作應力時，以下哪個要求不正確（）。
A.使用手持應變儀或千分表在腳標上測量砌體變形的初讀數(shù)時，應測量3次，并應取其平均值
B.槽的四周應清理平整，并應除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
D.開槽時不應操作測點部位的墻體及變形測量腳標
5.單項選擇題原位雙剪法當采用釋放時間上部壓應力σ的測試方案時，應掏空試件頂部（）之上的一條水平縫。
A.5皮磚
B.4皮磚
C.3皮磚
D.2皮磚
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題