A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
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A.5萬(wàn)塊
B.10萬(wàn)塊
C.15萬(wàn)塊
D.20萬(wàn)塊
A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
A.屬原位檢測(cè)，直接在墻體上測(cè)試，測(cè)試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)
B.直觀性，可比性強(qiáng)
C.砌體強(qiáng)度較高或軸向變形較大時(shí)，容易測(cè)出抗壓強(qiáng)度
D.檢測(cè)部位局部破損
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
下列是晶體的是（）。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）