單項(xiàng)選擇題磚砌體組砌方法應(yīng)正確，內(nèi)外搭砌，上下錯(cuò)縫?；焖畨χ胁坏糜虚L度大于300mm的通縫，長度200-300mm的通縫每間不超過（）處，且不得位于同一面墻體上。
A.3處
B.4處
C.5處
D.6處
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1.單項(xiàng)選擇題在抗震設(shè)防烈度為8度及8度以上地區(qū)，對(duì)不能同時(shí)砌筑而又必須六只的臨時(shí)間斷處應(yīng)砌成斜槎，普通磚砌體斜槎水平投影長度不應(yīng)小于高度的（）。
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
2.單項(xiàng)選擇題磚砌體工程中每一生產(chǎn)廠家，燒結(jié)普通磚、混凝土實(shí)心磚沒（）為一檢驗(yàn)批，不足數(shù)量時(shí)按1批計(jì)，抽檢數(shù)量為1組。
A.5萬塊
B.10萬塊
C.15萬塊
D.20萬塊
3.單項(xiàng)選擇題夾心復(fù)合墻的砌筑，拉結(jié)件設(shè)置應(yīng)符合設(shè)計(jì)要求，拉結(jié)件在葉墻上的擱置長度不應(yīng)小于葉墻厚度的2/3，并不應(yīng)小于（）。
A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
4.單項(xiàng)選擇題配置砌筑砂漿時(shí)，各組分材料應(yīng)采用質(zhì)量計(jì)量，水泥及各種外加劑配料的允許偏差為（）。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
5.單項(xiàng)選擇題砌筑砂漿應(yīng)進(jìn)行配合比設(shè)計(jì)，當(dāng)砌體為燒結(jié)普通磚或蒸壓粉煤灰磚砌體時(shí)，其砂漿稠度應(yīng)為（）。
A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題