單項選擇題構造柱、芯柱、組合砌體構件、配筋砌體剪力墻構件的混凝土及砂漿的強度等級應符合設計要求，每個檢驗批砌體，試塊不應少于1組，驗收批砌體試塊不得少于（）。
A.1組
B.2組
C.3組
D.4組
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1.單項選擇題毛石墻和磚墻相接的轉(zhuǎn)角處和交接處應同時砌筑。轉(zhuǎn)角處、交接處應自縱墻每個4-6皮磚高度引出不小于（）與橫墻相接。
A.120mm
B.120mm
C.140mm
D.160mm
2.單項選擇題混凝土小型空心砌塊砌體工程中，每一生產(chǎn)廠家，每（）小切塊為一驗收批，不足數(shù)量時按一批計，抽檢數(shù)量為1組。
A.1萬塊
B.1.5萬塊
C.2萬塊
D.2.5萬塊
3.單項選擇題扁頂法除了可直接測量砌體強度外，當在被試砌體部位布置應變測點進行應變量測時，不可測量（）。
A.開槽釋放應力
B.砌體的應力一應變曲線
C.彈性模量
D.回彈模量
4.單項選擇題小砌塊墻體應孔對孔、肋對肋錯縫搭砌，多排孔小砌塊的搭接長度不宜小于小砌塊長度的1/3，且不應小于（）。
A.70mm
B.80mm
C.90mm
D.100mm
5.單項選擇題磚砌體基礎、墻、柱頂面標高允許偏差為（）。
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
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懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
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直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
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對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
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如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題