A、主控項目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗合格
B、一般項目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗合格,當采用計數(shù)檢驗時,除有專門要求外,一般項目的合格點率應達到80%及以上,且不得有嚴重缺陷
C、僅隱蔽工程驗收記錄
D、具有完整的施工操作依據(jù)和質(zhì)量驗收記錄
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你可能感興趣的試題
A、施工技術(shù)標準
B、健全的質(zhì)量管理體系
C、施工質(zhì)量控制
D、質(zhì)量檢驗制度
A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應不小于1.5m。
B、同一墻體上測點數(shù)不宜多于1個,測點數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、扁頂法應與其他砌筑砂漿強度檢測或砌體抗剪強度檢測一同使用。
A、組砌方式
B、灰縫砂漿飽滿度
C、灰縫寬度
D、截面尺寸
E、垂直度及裂縫
A、塊材強度
B、砂漿強度
C、抹灰強度
D、砌體強度
A、推出法
B、單剪法
C、砂漿片剪法
D、點荷法和射釘法(貫入法)
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。